«Принципиально другой подход»: учёные из России и Китая разработали технологию для создания электроники нового типа
Российские учёные из Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) совместно с зарубежными коллегами из Института физики Китайской академии наук разрабатывают прототип первого элемента магнитной памяти. Об этом сообщила пресс-служба Минобрнауки.
В будущем эта технология сможет дополнить или заменить полупроводниковую электронику. Например, магнитная память позволит создать смартфон, который сможет работать без подзарядки несколько недель. Возможность внедрения таких систем подтверждается результатами фундаментальных и прикладных исследований.
Работа ведётся в рамках нацпроекта «Наука и университеты» Минобрнауки России. Результаты опубликованы в журнале Nano Letters.
Читать дальше »